宏微科技:SiC二极管产品已完成定型,部分产品已达成量产状态,SiC光伏端混合封装模块出货量已突破100万只
金融界3月13日消息,有投资者在互动平台向宏微科技提问:董秘您好!高压快充肯定会在接下来的时间里爆发.请问公司现在sic产能情况如何?能否介绍一下?
公司回答表示:公司的SiC产品线规划全面,相关产品应用于新能源汽车主驱、车载充电系统、超级充电桩电源模块、光伏逆变系统、储能系统、轨道交通、工业电源等领域。
目前,公司SiC自研芯片产品处于研发导入阶段,SiC二极管产品已完成定型,部分产品已达成量产状态,SiC Mos平台已定型,处于初步量产状态。SiC光伏端混合封装模块出货量已突破100万只,SiC车规端模块采用先进的封装工艺,正在积极配合终端客户验证中。
本文源自金融界AI电报
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管
器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC,正向压降减小为1.35 V。此外,器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 µA,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流,适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中,器件工作温度可达+175°C,正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外,D2PAK 2L封装二极管采用高CTI 600的塑封料,确保电压升高时优异的绝缘性能。
器件具有高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试。
器件规格表:
产品编号
IF(AV) (A)
IFSM (A)
IF 下VF (V)
QC (nC)
配置
封装
VS-3C05ET12T-M3
5
42
1.35
28
单晶圆
TO-220AC 2L
VS-3C10ET12T-M3
10
84
1.35
55
单晶圆
TO-220AC 2L
VS-3C15ET12T-M3
15
110
1.35
81
单晶圆
TO-220AC 2L
VS-3C20ET12T-M3
20
180
1.35
107
单晶圆
TO-220AC 2L
VS-3C05ET12S2L-M3
5
42
1.35
28
单晶圆
D2PAK 2L
VS-3C10ET12S2L-M3
10
84
1.35
55
单晶圆
D2PAK 2L
VS-3C15ET12S2L-M3
15
110
1.35
81
单晶圆
D2PAK 2L
VS-3C20ET12S2L-M3
20
180
1.35
107
单晶圆
D2PAK 2L
VS-3C10EP12L-M3
10
84
1.35
55
单晶圆
TO-247AD 2L
VS-3C15EP12L-M3
15
110
1.35
81
单晶圆
TO-247AD 2L
VS-3C20EP12L-M3
20
180
1.35
107
单晶圆
TO-247AD 2L
VS-3C30EP12L-M3
30
260
1.35
182
单晶圆
TO-247AD 2L
VS-3C10CP12L-M3
2 x 5
42
1.35
28
双晶圆共阴极
TO-247AD 3L
VS-3C20CP12L-M3
2 x 10
84
1.35
55
双晶圆共阴极
TO-247AD 3L
VS-3C30CP12L-M3
2 x 15
110
1.35
81
双晶圆共阴极
TO-247AD 3L
VS-3C40CP12L-M3
2 x 20
180
1.35
107
双晶圆共阴极
TO-247AD 3L
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为13周。
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