二极管

1n5819二极管参数 肖特基二极管的作用以及一些常见的封装型号

小编 2024-10-06 二极管 23 0

肖特基二极管的作用以及一些常见的封装型号

今天我们来说下,肖特基二极管的常见型号与作用,包括具体的参数。肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高;反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下;目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好) 。

肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高;反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下;目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好)。 什么是快恢复二极管,开关电源中常用快恢复二极管都有哪些类型?

一、1安培,封装:DO-41

1N5819、电流;1A、压降;0.55V、电压;40V

SR160、电流;1A、压降;0.7V、电压;60V

SR1100、电流;1A、压降;0.85V、电压;100V

二、2安培,封装:DO-15

SR240、电流;2A、压降0.55V、电压;40v

SR260、电流;2A、压降0.7V、电压;60v

SR2100、电流;2A、压降0.85V、电压;100v

三、3安培,封装:DO-27

SR340电流;3A、压降0.55V、电压;40v

SR360、电流;3A、压降0.7V、电压;60v

SR3100、电流;3A、压降0.85V、电压;100v

四、5安培,封装:DO-27

SR540电流;5A、压降0.55V、电压;40v

SR560、电流;5A、压降0.7V、电压;60v

SR5100、电流;5A、压降0.85V、电压;100v

五、1安培,贴片封装:DO-214AC

SS14、电流;1A、压降;0.55V、电压;40V

SS16、电流;1A、压降;0.7V、电压;60V

SS18、电流;1A、压降;0.85V、电压;80V

ss110、电流;1A、压降;0.85V、电压;100V

六、2安培,贴片封装;DO-214AC

SS24、电流;2A、压降;0.55V、电压;40V

SS26、电流;2A、压降;0.7V、电压;60V

SS28、电流;2A、压降;0.85V、电压;80V

SS210、电流;2A、压降;0.85V、电压;100V

七、3安培,贴片封装:DO-214AC

SS34、电流;3A、压降;0.55V、电压;40V

SS36、电流;3A、压降;0.7V、电压;60V

SS38、电流;3A、压降;0.85V、电压;80V

SS310、电流;3A、压降;0.85V、电压;100V

八、5安培,贴片封装:DO-214AC

SS54、电流;5A、压降;0.55V、电压;40V

SS56、电流;5A、压降;0.7V、电压;60V

SS58、电流;5A、压降;0.85V、电压;80V

SS510、电流;5A、压降;0.85V、电压;100V

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肖特基二极管的作用

肖特基二极管作用

肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的TTL内部电路中使用的技术。

肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。

作用还是整流,其优势是正向压降低,反向恢复时间快,所以整体损耗会比其他的二极管低很多。

B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管,1N5819为参数相同的插件式肖特基管,两个管只是封装不同。简单来说就是一个是贴片的一个是插接件式的。

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。

但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。

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