华微电子申请低漏电高可靠性高压整流二极管芯片制备方法专利，提高微电子芯片的生产制造效率

金融界2024年4月6日消息，据国家知识产权局公告，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“一种低漏电高可靠性高压整流二极管芯片制备方法“，公开号CN117832083A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明涉及微电子芯片生产制造领域，具体为一种低漏电高可靠性高压整流二极管芯片制备方法，包括以下步骤：S1:在N型硅片上，通过氧化工艺，形成一层1.9‑2.1μm厚度的氧化层；S2:通过光刻和腐蚀工艺在硅片上形成基区窗口和分压环窗口结构；S3:在刻出的基区窗口和分压环窗口注入剂量为4.2×10。

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芯朋微申请理想二极管芯片专利，使理想二极管芯片满足不同高压场景的应用需求

金融界 2024 年 8 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，无锡芯朋微电子股份有限公司申请一项名为“理想二极管芯片“，公开号 CN202410890306.2，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种理想二极管芯片，包括：设置于封装框架上的第一引脚和第二引脚，在第一引脚上设置有功率管和第一基板，第一基板上设置有开关管、控制模块；第一引脚作为所述理想二极管芯片的阴极，第二引脚作为所述理想二极管芯片的阳极。利用本发明方案，可以使理想二极管芯片满足不同高压场景的应用需求。

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