台积电申请半导体二极管结构专利，提供静电放电保护

金融界 2024 年 7 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体二极管结构、静电放电保护电路及其形成方法”，公开号 CN202410272414.3，申请日期为 2024 年 3 月。

专利摘要显示，本申请的实施例提供了半导体二极管结构、静电放电保护电路及其形成方法。二极管结构包括硅剩余层、设置在硅剩余层上的第一 p 型掺杂区和设置在硅剩余层上的第一 n 型掺杂区。第一沟道区设置在硅剩余层上并且在第一 p 型掺杂区和第一 n 型掺杂区之间，其中第一沟道区、第一 p 型掺杂区以及第一 n 型掺杂区沿第一方向设置。

本文源自金融界

三星申请静电放电保护器件专利，触发二极管彼此电连接

金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“静电放电保护器件“，公开号CN117790496A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，一种静电放电保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；以及第一扩散区至第八扩散区，形成在第一阱和第二阱上。扩散区中形成在第一阱中的至少一部分连接到第一电极，扩散区中形成在第二阱中的至少一部分连接到第二电极。扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二极管。触发二极管彼此电连接。

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