快恢复二极管工作原理_快恢复二极管结构

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

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快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

快恢复二极管的内部结构是在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了TRR值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。

加负电压（或零偏压）时，快恢复二极管等效为电容+电阻；加正电压时，快恢复二极管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择快恢复二极管参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或0偏置）的快恢复二极管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。

因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n结快恢复二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

以上就是快恢复二极管工作原理_快恢复二极管结构，希望对各位有帮助。

什么是快恢复二极管

快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管（SRD )

是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好， 反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。

超快恢复二极管 SRD则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间已接近于肖 特基二极管的指标。

它可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电 动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管.

1． 快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在 P 型、N 型硅材料中间增加了基区 I，构 成 P-I-N 硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了 trr值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。

2． 20A 以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用 TO-220 封装形式。从内部结构看，可分成单管、 对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共 阴对管、共阳对管之分。

3． 图 是 C 20-04 型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图 和(c)图分别是 C92-02 型（共阴对管）、MUR1680A 型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构 造。它们均采用 TO-220 塑料封装，

1, 几十安的快恢复二极管一般采用 TO-3P 金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采 用螺栓型或平板型封装形式。

2．检测方法

常规检测方法 在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、 短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。 实例：测量一只 C90-02 超快恢复二极管，将 500 型万用表拨至 R×1 档，读出正向电阻为 6.4Ω，n′=19.5 格；反向电阻则 为无穷大。进一步求得 VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。

注意事项：

（1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。

（2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。

（3）测正向导通压降时，必须使用 R×1 档。若用 R×1k 档，因测试电流太小，远低于管子的正 常工作电流。

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