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解答:由于雪崩击穿和齐纳击穿。原因:二极管内部存在PN结,在测量其特性时,如果加在PN结上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增加,这就是反向击穿...

也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的,可以恢复。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。隧道击穿是在强电场作用下,由隧道效应,使大量电子从...

Vbr是瞬态抑制二极管的雪崩电压,达到这个电压时二极管击穿导通,对与之连接的其他元器件起到保护作用,Vwm是它的最高反向峰值工作电压,在这个电压下,它确保不...

半导体雪崩光电二极管具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流...

[最佳回答]APD倍增因子M的计算公式很多,一个常用的公式为M=1/1-(v/vB)n式中:n是由P-N结材料决定的常数;VB为理想反向偏压;V为反向偏压的增加值.对于Si...

[回答]雪崩击穿和齐纳击穿是半导体PN结的两种不同的击穿机理。说明一下它们的相同点和不同点你就知道有什么用了。一般对于硅材料的PN结,6V电压以上以雪崩...

二极管两端加上反向电压,且反向电压低于雪崩击穿电压时,二极管不导通(此时流过二极管的电流极小和忽略),称之为“截止状态”。由于二极管本身并不能对外提供...

[回答]P6KE12CAP6指功率600W的,12V是雪崩电压CA为双向如果是P6KE12A则为单向如果用贴片的则用大约是SMBJ开头,SMB为封装大小形式~稳压二极管区分正负极:...

[最佳回答]反向击穿电压,击穿有齐纳击穿和雪崩击穿两种

因为是箝位型保护元件。瞬态抑制二极管是一种专门用于抑制过电压的器件。其核心部分是具有较大截面积的PN结,该PN结工作在雪崩状态时,具有较强的脉冲吸收能力...