Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。

碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。

器件规格表：

产品编号

IF(AV) (A)

IFSM (A)

IF 下VF (V)

QC (nC)

配置

封装

VS-3C05ET12T-M3

5

42

1.35

28

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C10ET12T-M3

10

84

1.35

55

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C15ET12T-M3

15

110

1.35

81

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C20ET12T-M3

20

180

1.35

107

单晶圆

TO-220AC 2L

VS-3C05ET12S2L-M3

5

42

1.35

28

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C10ET12S2L-M3

10

84

1.35

55

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C15ET12S2L-M3

15

110

1.35

81

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C20ET12S2L-M3

20

180

1.35

107

单晶圆

D2PAK 2L

VS-3C10EP12L-M3

10

84

1.35

55

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C15EP12L-M3

15

110

1.35

81

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C20EP12L-M3

20

180

1.35

107

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C30EP12L-M3

30

260

1.35

182

单晶圆

TO-247AD 2L

VS-3C10CP12L-M3

2 x 5

42

1.35

28

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C20CP12L-M3

2 x 10

84

1.35

55

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C30CP12L-M3

2 x 15

110

1.35

81

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C40CP12L-M3

2 x 20

180

1.35

107

双晶圆共阴极

TO-247AD 3L

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。

宏微科技：SiC二极管产品已完成定型，部分产品已达成量产状态，SiC光伏端混合封装模块出货量已突破100万只

金融界3月13日消息，有投资者在互动平台向宏微科技提问：董秘您好!高压快充肯定会在接下来的时间里爆发.请问公司现在sic产能情况如何？能否介绍一下？

公司回答表示：公司的SiC产品线规划全面，相关产品应用于新能源汽车主驱、车载充电系统、超级充电桩电源模块、光伏逆变系统、储能系统、轨道交通、工业电源等领域。

目前，公司SiC自研芯片产品处于研发导入阶段，SiC二极管产品已完成定型，部分产品已达成量产状态，SiC Mos平台已定型，处于初步量产状态。SiC光伏端混合封装模块出货量已突破100万只，SiC车规端模块采用先进的封装工艺，正在积极配合终端客户验证中。

本文源自金融界AI电报

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